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19-5616; Rev 11/10
DS1265Y/AB
8M Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
FEATURES
PIN ASSIGNMENT
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10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Unlimited write cycles
Low-power CMOS operation
Read and write access times of 70 ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
Full ± 10% V CC operating range (DS1265Y)
Optional ± 5% V CC operating range
(DS1265AB)
Optional industrial temperature range of
-40 ° C to +85 ° C, designated IND
NC
NC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
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34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
V CC
A19
NC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
36-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
PIN DESCRIPTION
A0 - A19
DQ0 - DQ7
CE
W E
OE
V CC
GND
NC
- Address Inputs
- Data In/Data Out
- Chip Enable
- Write Enable
- Output Enable
- Power (+5V)
- Ground
- No Connect
DESCRIPTION
The DS1265 8M Nonvolatile SRAMs are 8,388,608-bit, fully static nonvolatile SRAMs organized as
1,048,576 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control
circuitry which constantly monitors V CC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs,
the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to
prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles which can be executed and no
additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.
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